9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的8EWF12S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。8EWF12S参考价格为0.502美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 8EWF12S封装/规格：DIODE GEN PURP 1.2KV 8A DPAK。您可以下载8EWF12S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如8EWF12S价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
8EWF10STRL是DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK，包括磁带和卷轴（TR）包装，它们设计用于to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如D-PAK（to-252AA），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100μA@1000V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.3V@8A，该器件提供1000V（1kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有8A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为270ns，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C。
8EWF10S是DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK，包括1.3V@8A电压正向Vf Max。如果它们设计为在1000V（1KV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于D-Pak的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为270ns，该器件也可以用作TO-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100μa@1000V，电流平均整流Io为8A。
8EWF10，带有IR制造的电路图。8EWF1010采用TO-252封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
