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BY299P-E3/73是DIODE GEN PURP 800V 2A DO201AD,包括磁带盒(TB)封装,设计用于DO-201AD,轴向封装盒,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,提供DO-201AD等供应商设备封装功能,速度设计用于快速恢复=20mA(Io),以及标准二极管类型,该器件还可以用作10μA@800V电流反向泄漏Vr。此外,电压正向Vf Max If为1.3V@3A,该器件提供800V电压直流反向Vr Max,该器件具有2A的电流平均整流Io,反向恢复时间trr为500ns,电容Vr F为28pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-50°C~125°C。
BY328,带有PHILIPS制造的用户指南。BY328采用SOD64封装,是IC芯片的一部分。
BY329-1000是由PH制造的DIODE GEN PURP 1KV 8A TO220AC。BY329-10000采用TO-220-2封装,是二极管、整流器-单体的一部分,并支持DIODE GENPURP 1KV8A TO220AC。