9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的TZX12A-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TZX12A-TAP参考价格为0.21000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division TZX12A-TAP封装/规格：DIODE ZENER 12V 500MW DO35。您可以下载TZX12A-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TZX11C-TR是DIODE ZENER 11V 500MW DO35，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于小型信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004833盎司，安装样式设计用于通孔，以及1.7 mm高度，该装置也可以用作3.9mm长度。此外，宽度为1.7 mm，该设备采用DO-204AH、DO-35轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，供应商设备封装为DO-35，配置为单体，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为11V，阻抗最大Zzt为25欧姆，电流反向泄漏Vr为1μA@8.2V，正向电压Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为11 V，电压容差为2%，齐纳电流为5 mA，Zz齐纳阻抗为25欧姆，Ir反向电流为1uA。
TZX11D-TR是DIODE ZENER 11V 500MW DO35，包括25欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于5 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.7 mm，提供Vz齐纳电压特性，如11 V，电压齐纳标称Vz设计用于11 V，以及1%电压容差，该设备也可以用作1.5V@200mA电压正向Vf Max If。此外，单位重量为0.004833盎司，该设备采用DO-35供应商设备包，该设备具有汽车AEC-Q101系列，产品为小信号齐纳二极管，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-204AH，DO-35，轴向，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最小工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.9 mm，Ir反向电流为1 uA，阻抗最大Zzt为25 Ohm，高度为1.7mm，电流反向泄漏Vr为1μA@8.2V，配置为单一。
TZX11D-TAP是DIODE ZENER 11V 500MW DO35，包括单一配置，它们设计为在1μa@8.2V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于1.7 mm，提供阻抗最大Zzt功能，例如25欧姆，Ir反向电流设计为在1uA下工作，长度为3.9 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度范围在-65℃~175℃，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，包装为磁带盒（TB）交替包装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；产品为小信号齐纳二极管，系列为AEC-Q101；供应商设备封装为DO-35，单位重量为0.004833 oz；电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，电压容差为1%；电压齐纳标称Vz为11V，Vz齐纳电压为11V；宽度为1.7mm，Zz齐纳阻抗为25欧姆。
