9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的TZX4V7D-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。TZX4V7D-TAP参考价格为0.21000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division TZX4V7D-TAP封装/规格：DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35。您可以下载TZX4V7D-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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TZX4V7B-TR是DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，设计用于小型信号齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004833 oz，安装样式设计用于通孔，以及1.7 mm高，该装置也可以用作3.9mm长度。此外，宽度为1.7 mm，该设备采用DO-204AH、DO-35轴向封装外壳，其工作温度范围为-65°C~175°C，安装类型为通孔，供应商设备封装为DO-35，配置为单体，最大功率为500mW，电压齐纳标称Vz为4.7V，阻抗最大Zzt为100欧姆，电流反向泄漏Vr为5μA@2V，正向电压Vf Max If为1.5V@200mA，Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vz齐纳电压为4.7 V，电压容差为5%，齐纳电流为5 mA，Zz齐纳阻抗为100欧姆，Ir反向电流为5uA。
TZX4V7C-TR是DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35，包括100欧姆Zz齐纳阻抗，设计用于5 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于1.7 mm，提供Vz齐纳电压特性，如4.7 V，电压齐纳标称Vz设计用于4.7V，以及2%电压容差，该设备也可以用作1.5V@200mA正向电压Vf Max If。此外，单位重量为0.004833 oz，该设备采用DO-35供应商设备包，该设备具有自动AEC-Q101系列，最大功率为500mW，Pd功耗为500mW。包装为胶带和卷筒（TR）交替包装，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向、，它的工作温度范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔。它的最低工作温度范围是-65 C，最大工作温度范围+175 C，长度为3.9 mm，Ir反向电流为5 uA，阻抗最大Zzt为100 Ohm，高度为1.7 mm，电流反向泄漏Vr为5μA@2V，配置为单一。
TZX4V7C-TAP是DIODE ZENER 4.7V 500MW DO35，包括单一配置，它们设计为在5μa@2V电流反向泄漏Vr下工作，高度如数据表注释所示，用于1.7 mm，提供阻抗最大Zzt功能，例如100欧姆，Ir反向电流设计为在5uA下工作，长度为3.9 mm，它的最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，该设备为通孔安装型，该设备具有安装型通孔，其工作温度范围在-65℃~175℃，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，包装为磁带盒（TB）交替包装，Pd功耗为500mW，最大功率为500mW；系列为Automotive，AEC-Q101，供应商设备包为DO-35；单位重量为0.004833 oz；电压正向Vf Max If为1.5V@200mA，电压容差为2%；电压齐纳标称Vz为4.7V；Vz齐纳电压为4.7V，宽度为1.7mm；Zz齐纳阻抗为100欧姆。
