9icnet为您提供由NTE Electronics,Inc设计和生产的1N959B,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。1N959B参考价格0.09920美元。NTE Electronics,Inc 1N959B封装/规格:二极管齐纳8.2V 500MW DO35。您可以下载1N959B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N958B_T50R,带引脚细节,包括磁带和卷轴(TR)封装,设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳,其工作温度范围为-65°C~200°C,提供安装类型功能,如通孔,供应商设备封装设计用于DO-35,以及±5%的公差,设备也可用于500mW最大功率。此外,电压齐纳标称Vz为7.5V,该器件提供5.5欧姆阻抗最大Zzt,该器件具有75μa@5.7V电流反向泄漏Vr。
1N958BTR是DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35,包括7.5V电压齐纳标称Vz,它们设计为在±5%的公差下运行。数据表说明中显示了DO-35中使用的供应商设备包,提供功率最大功能,如500MW,包装设计用于磁带和卷轴(TR),以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱,其工作温度范围为-65°C~200°C。此外,安装类型为通孔,该设备提供5.5欧姆阻抗最大Zzt,该设备具有75μa@5.7V电流反向泄漏Vr。
1N958B_T50A,带电路图,包括75μA@5.7V电流反向泄漏Vr,设计用于5.5欧姆阻抗最大Zzt的工作,安装类型如数据表注释所示,用于通孔,工作温度范围为-65°C~200°C,包装箱设计用于DO-204AH、DO-35、轴向以及磁带盒(TB)包装,该设备也可以用作500mW最大功率。此外,供应商设备包为DO-35,该设备提供±5%的容差,该设备具有7.5V的电压齐纳标称Vz。