9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的VDZT2R6.2B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VDZT2R6.2B参考价格$4.41000。Rohm Semiconductor VDZT2R6.2B封装/规格：二极管ZENER 6.2V 100MW VMD2。您可以下载VDZT2R6.2B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VDZT2R5.1B是DIODE ZENER 5.1V 100MW VMD2，包括VDZ5.1B系列，它们设计用于齐纳二极管产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为0.5 mm，长度为1 mm，设备也可以用作0.6 mm宽。此外，封装外壳为2-SMD，扁平引线，其工作温度范围为-55°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备封装为VMD2，配置为单一，公差为±2%，最大功率为100mW，电压齐纳标称Vz为5.1V，阻抗最大值Zzt为80欧姆，电流反向泄漏Vr为2μa@1.5V，Pd功耗为100 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为5.2 V，电压容差为2%，齐纳电流为5 mA，Zz齐纳阻抗为80欧姆，Ir反向电流为2 uA。
VDZT2R5.6B是DIODE ZENER 5.6V 100MW VMD2，包括60欧姆Zz齐纳阻抗，它们设计用于5 mA齐纳电流，宽度如数据表注释所示，用于0.6 mm，提供Vz齐纳电压特性，如5.73 V，电压齐纳标称Vz设计用于5.6V，以及2%电压容差，该设备也可以用作±2%容差。此外，供应商设备包装为VMD2，该设备为VDZ5.6B系列，该设备具有齐纳二极管产品，最大功率为100mW，Pd功耗为100mW，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，长度为1 mm，Ir反向电流为1 uA，阻抗最大值Zzt为60欧姆，高度为0.5 mm，电流反向泄漏Vr为1μA@2.5V，配置为单一。
VDZT2R5.1B-5V1，电路图由ROHM制造。是IC芯片的一部分。
