9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的VDZT2R24B,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。VDZT2R24B参考价格为0.97美元。Rohm Semiconductor VDZT2R24B封装/规格:二极管ZENER 24V 100MW VMD2。您可以下载VDZT2R24B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,如VDZT2R24B价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
VDZT2R22B是DIODE ZENER 22V 100MW VMD2,包括VDZ22B系列,它们设计用于齐纳二极管产品。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代封装的封装,该封装提供SMD/SMT等安装方式功能,高度设计为0.5 mm,长度为1 mm,设备也可以用作0.6 mm宽。此外,封装外壳为2-SMD,扁平引线,其工作温度范围为-55°C~150°C,设备具有安装型表面安装,供应商设备封装为VMD2,配置为单一,公差为±2%,最大功率为100mW,电压齐纳标称Vz为22V,阻抗最大Zzt为100欧姆,电流反向泄漏Vr为100nA@17V,Pd功耗为100mW,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vz齐纳电压为22.47 V,电压容差为2%,齐纳电流为2 mA,Zz齐纳阻抗为100欧姆,Ir反向电流为100 nA。
VDZT2R20B是DIODE ZENER 20V 100MW VMD2,包括85欧姆Zz齐纳阻抗,其设计工作宽度为0.6 mm,Vz齐纳电压如数据表注释所示,用于19.955 V,提供电压齐纳标称Vz特性,如20V,电压容差设计为2%,以及±2%的容差,该设备也可以用作VMD2供应商设备包。此外,该系列为VDZ20B,该器件的最大功率为100mW,该器件具有100mW的Pd功耗,封装为Digi-ReelR交替封装,封装外壳为2-SMD,扁平引线,工作温度范围为-55°C~150°C,安装方式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,长度为1 mm,Ir反向电流为100 nA,阻抗最大值Zzt为85 Ohm,高度为0.5 mm,电流反向泄漏Vr为100nA@15V,配置为单一。
VDZT2R2.7B是DIODE ZENER 2.7V 100MW VMD3,包括单一配置,设计用于表面安装安装类型,安装类型如SMD/SMT中使用的数据表注释所示,其工作温度范围为-55°C~150°C,包装箱设计用于SOT-723以及磁带和卷轴(TR)包装,该设备也可以用作100mW最大功率。此外,该系列为VDZ2.7B,该设备在VMD3供应商设备包中提供,该设备具有2.7V的电压齐纳标称Vz。