9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的VDZT2R4.3B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VDZT2R4.3B参考价格0.18409美元。Rohm Semiconductor VDZT2R4.3B封装/规格：二极管ZENER 4.3V 100MW VMD2。您可以下载VDZT2R4.3B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VDZT2R36B是DIODE ZENER 36V 100MW VMD2，包括VDZ36B系列，它们设计为与齐纳二极管产品一起工作。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供了SMD/SMT等安装方式功能，高度设计为0.5 mm，长度为1 mm，设备也可以用作0.6 mm宽。此外，封装外壳为2-SMD，扁平引线，其工作温度范围为-55°C~150°C，设备具有安装型表面安装，供应商设备封装为VMD2，配置为单一，公差为±3%，最大功率为100mW，电压齐纳标称Vz为36V，阻抗最大Zzt为300欧姆，电流反向泄漏Vr为100nA@27V，Pd功耗为100mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vz齐纳电压为36.87 V，电压容差为3%，齐纳电流为2 mA，Zz齐纳阻抗为300欧姆，Ir反向电流为100 nA。
VDZT2R33B是DIODE ZENER 33V 100MW VMD2，包括250欧姆Zz齐纳阻抗，其设计工作宽度为0.6 mm，Vz齐纳电压如数据表注释所示，用于32.97 V，提供电压齐纳标称Vz特性，如33V，电压容差设计为2%，以及±3%的容差，该设备也可以用作VMD2供应商设备包。此外，该系列为VDZ33B，该器件的最大功率为100mW，该器件具有100mW的Pd功耗，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为2-SMD，扁平引线，工作温度范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，长度为1 mm，Ir反向电流为100 nA，阻抗最大值Zzt为250 Ohm，高度为0.5 mm，电流反向泄漏Vr为100nA@25V，配置为单一。
VDZT2R30B是DIODE ZENER 30V 100MW VMD2，包括单一配置，设计用于100nA@23V电流反向泄漏Vr，高度如数据表注释所示，用于0.5 mm，提供阻抗最大Zzt特性，如200欧姆，Ir反向电流设计用于100 nA，以及1 mm长度，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，该器件为表面安装安装型，该器件具有安装型SMD/SMT，其工作温度范围在-55℃~150℃，封装外壳为2-SMD，扁平引线，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为100mW，最大功率为100mW；系列为VDZ30B；供应商设备包为VMD2；公差为±3%，电压公差为3%；电压齐纳标称Vz为30V，Vz齐纳电压为29.94V，宽度为0.6mm，Zz齐纳阻抗为200欧姆。
