9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DMG563H50R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG563H50R参考价格为0.48000美元。松下电子元件DMG563H50R包装/规格：TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5。您可以下载DMG563H50R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG563H10R是TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表注释中显示了用于5-SMD扁平引线的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SMINI5-F3-B以及双配置，该器件也可以用作150mW功率最大值。此外，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），该器件提供100mA电流收集器Ic最大值，该器件具有50V电压收集器-发射器击穿最大值，电阻器基极R1欧姆为47k，4.7k，电阻器基极R2欧姆为47k，10k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V/30@5mA、10V，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA，10mA，集电极截止最大值为500nA，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50 V，晶体管极性为NPN PNP，连续集电极电流为-100 mA，典型输入电阻为47千欧。
DMG563H40R是TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。典型输入电阻显示在数据表注释中，用于10千欧，提供晶体管类型功能，如1 NPN、1 PNP-预偏置（双），晶体管极性设计为在NPN PNP中工作，以及SMini5-F3-B供应商设备包，该设备也可以用作10k、5.1k电阻发射极基极R2欧姆。此外，电阻器基极电阻R1欧姆为10k，510，该器件最大功率为150mW，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为5-SMD，扁平引线，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，直流电流增益hFE最小Ic Vce为35@5mA、10V/20@5mA和10V，集电极Ic最大值为100mA，集电极截止值最大值为500nA，连续集电极电流为-100mA，配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50V。
DMG563020R是TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5，包括-50 V集电极-发射极电压VCEO Max，它们设计用于双配置，数据表注释中显示了用于-100 mA的连续集电极电流，其提供了电流集电极截止最大值功能，如500nA，电流集电极Ic Max设计用于100mA，以及60@5mA，10V直流电流增益hFE最小Ic Vce，其最大工作温度范围为+150℃。此外，安装类型为表面安装，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有5-SMD封装盒扁平引线，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为150mW，电阻底座R1欧姆为22k，电阻器-发射极基极R2欧姆为22k，供应商设备包为SMini5-F3-B，晶体管极性为NPN PNP，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），典型输入电阻器为22k欧姆，Vce饱和最大Ib-Ic为250mV@500μA，10mA，集电极-发射极击穿最大值为50V。
