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DMG1029SV-7是MOSFET N/P-CH 60V SOT563，包括DMG1029系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000106盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的SOT-563，配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为450mW，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为30pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为500mA，360mA，最大Id Vgs为1.7 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.3nC@4.5V，Pd功耗为450mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9.9 ns 11.6 ns，上升时间为3.4 ns 7.9 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为500 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs栅-源极阈值电压为2.5 V，Rds漏极源极电阻为4欧姆，并且晶体管极性是N沟道P沟道，并且典型关断延迟时间是15.7ns 10.6ns，并且典型接通延迟时间是3.9ns 5.5ns，并且Qg栅极电荷是0.3nC 0.28nC，并且正向跨导Min是80mS 50mS，并且沟道模式是增强。
DMG201020R是TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B，包括50V额定电压，它们设计为与NPN+PNP（发射极耦合）晶体管类型一起工作，晶体管极性如数据表注释所示，用于NPN PNN，提供供应商设备包功能，如MINI5-G3-B、Pd功耗设计为300 mW，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作SC-74A、SOT-753包装箱。此外，安装类型为表面安装，该设备提供5 V发射极基极电压VEBO，该设备具有120 V直流集电极基极增益hfe最小值，额定电流为500mA，连续集电极电流为500 mA，集电极发射极电压VCEO最大值为50 V，应用为通用放大。
DMG1026UVQ-7带有电路图，包括卷筒包装，它们设计为使用硅技术操作。
