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DMG563010R是TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了用于5-SMD扁平引线的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SMINI5-F3-B，以及双重配置，该器件还可以用作150mW最大功率。此外，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），该器件提供100mA集流器Ic Max，该器件具有50V的集流器-发射极击穿最大值，电阻器基极R1欧姆为10k，电阻器基极R2欧姆为10k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为35@5mA，10V，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA，10mA，集电极截止最大值为500nA，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50 V，晶体管极性为NPN PNP，连续集电极电流为-100 mA，典型输入电阻为10千欧姆。
DMG504010R是TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mV@10mA、100mA/500mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于NPN、PNP的晶体管类型，该NPN、，该设备还可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为6-SMD，扁平引线，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，增益带宽乘积fT为150 MHz，频率转换为150MHz，直流电流增益hFE Min Ic Vce为210@2mA，10V，直流集电极基极增益hFE Min为210，集电极Ic Max为100mA，集电极截止电流Max为100μA，连续集电极电流为-100 mA，配置为双，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V。
带有电路图的DMG4N65CTI，包括4 A Id连续漏极电流，它们设计为在1通道数量的通道下工作，数据表注释中显示了用于to-220AB-3的封装情况，该封装提供了管、Rds漏极源电阻等封装功能，设计为3欧姆，以及DMG4N65系列，该器件也可以用作硅技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件的单位重量为0.081130盎司，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
