9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DMG563010R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG563010R参考价格为0.48000美元。松下电子元件DMG563010R包装/规格：TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5。您可以下载DMG563010R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG504010R是TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表注释中显示了用于6-SMD、扁平引线的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SMINI6-F3-B以及双配置，该器件还可以用作150mW最大功率。此外，晶体管类型为NPN、PNP，该器件提供100mA集流器Ic Max，该器件具有50V的集流器-发射极击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为210@2mA、10V，Vce饱和最大值Ib Ic为300mV@10mA、100mA/500mV@10mA和100mA，集流器截止最大值为100μa，频率转换为150MHz，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V，晶体管极性为NPN PNP，增益带宽乘积fT为150 MHz，连续集电极电流为-100 mA，直流集电极基极增益hfe Min为210。
DMG4N65CT是MOSFET N-CH MOSFET 650V 4A，包括650 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于单位重量为0.081130 oz的情况，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道。技术设计用于Si，以及DMG4N65系列，该器件也可以用作漏极-源极电阻上的3欧姆Rds。此外，包装为管式，装置采用TO-220AB-3包装盒，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为4A。
带有电路图的DMG4N65CTI，包括4 A Id连续漏极电流，它们设计为在1通道数量的通道下工作，数据表注释中显示了用于to-220AB-3的封装情况，该封装提供了管、Rds漏极源电阻等封装功能，设计为3欧姆，以及DMG4N65系列，该器件也可以用作硅技术。此外，晶体管极性为N沟道，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件的单位重量为0.081130盎司，Vds漏极-源极击穿电压为650 V。
