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DMG504010R是TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6,包括Digi-ReelR替代包装包装,它们设计用于SMD/SMT安装方式,数据表注释中显示了用于6-SMD、扁平引线的包装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于SMINI6-F3-B以及双配置,该器件还可以用作150mW最大功率。此外,晶体管类型为NPN、PNP,该器件提供100mA集流器Ic Max,该器件具有50V的集流器-发射极击穿最大值,直流电流增益hFE最小Ic Vce为210@2mA、10V,Vce饱和最大值Ib Ic为300mV@10mA、100mA/500mV@10mA和100mA,集流器截止最大值为100μa,频率转换为150MHz,其最大工作温度范围为+150 C,集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V,晶体管极性为NPN PNP,增益带宽乘积fT为150 MHz,连续集电极电流为-100 mA,直流集电极基极增益hfe Min为210。
DMG4N65CT是MOSFET N-CH MOSFET 650V 4A,包括650 V Vds漏极-源极击穿电压,它们设计用于单位重量为0.081130 oz的情况,晶体管类型如数据表注释所示,用于1 N沟道,提供晶体管极性特性,如N沟道。技术设计用于Si,以及DMG4N65系列,该器件也可以用作漏极-源极电阻上的3欧姆Rds。此外,包装为管式,装置采用TO-220AB-3包装盒,装置具有1个通道数,安装方式为通孔,Id连续漏电流为4A。
带有电路图的DMG4N65CTI,包括4 A Id连续漏极电流,它们设计为在1通道数量的通道下工作,数据表注释中显示了用于to-220AB-3的封装情况,该封装提供了管、Rds漏极源电阻等封装功能,设计为3欧姆,以及DMG4N65系列,该器件也可以用作硅技术。此外,晶体管极性为N沟道,该器件为1 N沟道晶体管类型,该器件的单位重量为0.081130盎司,Vds漏极-源极击穿电压为650 V。