9icnet为您提供由松下电子元件公司设计和生产的DMG204020R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG204020R参考价格为2.056美元。松下电子元件DMG204020R包装/规格：TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6。您可以下载DMG204020R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG1029SV-7是MOSFET N/P-CH 60V SOT563，包括DMG1029系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000106盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-563、SOT-666以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的SOT-563，配置为N通道P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为450mW，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为30pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为500mA，360mA，最大Id Vgs为1.7 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.3nC@4.5V，Pd功耗为450mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9.9 ns 11.6 ns，上升时间为3.4 ns 7.9 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为500 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs栅-源极阈值电压为2.5 V，Rds漏极源极电阻为4欧姆，并且晶体管极性是N沟道P沟道，并且典型关断延迟时间是15.7ns 10.6ns，并且典型接通延迟时间是3.9ns 5.5ns，并且Qg栅极电荷是0.3nC 0.28nC，并且正向跨导Min是80mS 50mS，并且沟道模式是增强。
DMG204010R是TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mV@10mA、100mA/500mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN、PNP，提供晶体管极性特性，如NPN PNP，供应商设备包设计为在MINI6-G4-B中工作，除了300mW最大功率外，该设备还可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为SOT-23-6，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有安装型表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，增益带宽乘积fT为150 MHz，频率转换为150MHz，直流电流增益hFE Min Ic Vce为210@2mA，10V，直流集电极基极增益hFE Min为210，集电极Ic Max为100mA，集电极截止电流Max为100μA，连续集电极电流为-100 mA，配置为双，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V。
DMG201020R是TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B，包括一般放大应用，它们设计为在50 V集电极-发射极电压VCEO Max下工作，连续集电极电流如数据表注释所示，用于500 mA，提供额定电流功能，如500mA，DC集电极基极增益hfe Min设计为工作在120，该器件还可以用作表面安装安装型。此外，封装外壳为SC-74A、SOT-753，器件采用Digi-ReelR替代封装，器件具有300mW的Pd功耗，供应商器件封装为Mini5-G3-B，晶体管极性为NPN PNP，晶体管类型为NPN+PNP（发射极耦合），额定电压为50V。
