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DMG204B10R是TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6，包括Digi-ReelR替代包装包装，设计用于SMD/SMT安装方式，数据表中显示了SOT-23-6中使用的包装盒，该SOT-23-7提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于MINI6-G4-B，以及双重配置，该器件还可以用作300mW最大功率。此外，晶体管类型为NPN、PNP，该器件提供500mA、100mA集流器Ic Max，该器件具有20V、50V的集流器发射极击穿最大值，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@500mA、2V/210@2mA、10V，Vce饱和最大Ib Ic为400mV@20mA、500mA/500mV@10mA、100mB，集电极截止电流最大值为100μA，频率转换为150MHz，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50 V+20 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极/发射极饱和电压为-0.2 V+0.18 V，集电极基极电压VCBO为-60 V+25 V，发射极基极电压VEBO为-7 V+12 V，最大直流集电极电流为-100 mA+0.5 A，增益带宽乘积fT为150 MHz，连续集电极电流是-100 mA，直流集电极基基增益hfe Min为210，直流电流增益hfe Max为800，电压为2 V时为0.5 A。
DMG204B00R是TRANS NPN/PNP 50V/10V MINI6，包括50V、10V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在300mV@10mA、100mA/300mV@8mA、400mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于NPN、PNP的晶体管类型，该NPN、，除了300mW最大功率外，该设备还可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为SOT-23-6，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型表面安装，其最大工作温度范围为+85℃，最大直流集电极电流为200 mA-1 a，增益带宽积fT为150 MHz-250 MHz，频率转换为150MHZ、250MHz，发射极基极电压VEBO为7 V-7 V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为210@2mA，10V/130@500mA，2V，直流集电极基极增益hFE最小为130，集电极Ic最大为100mA，500mA，集电极截止最大为100μA，连续集电极电流为-500mA，配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大为50 V-10 V，集电极-发射极饱和电压为130 mV-150 mV，集电极基极电压VCBO为60 V-15 V。
DMG204A00R是TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6，包括-10 V集电极-发射极电压VCEO Max，设计用于双配置，连续集电极电流如数据表注释所示，用于-500 mA，具有100nA（ICBO）等集电极截止最大功能，集电极Ic Max设计用于500mA，除了130 DC集电极基本增益hfe Min，该器件还可以用作200@500mA、2V/130@500mA和2V DC电流增益hfe Min Ic Vce。此外，频率转换为150MHZ，250MHz，该设备提供250MHz增益带宽产品fT，其最大工作温度范围为+150℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，封装外壳为SOT-23-6，封装为Digi-ReelR交替封装，最大功率为300mW，供应商设备封装为Mini6-G4-B，晶体管极性为NPN PNP，晶体管类型为NPN、PNP，Vce饱和最大值Ib Ic为400mV@20mA、500mA/300mV@8mA、400mA，集电极-发射极击穿最大值为20V、10V。
