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DMG963010R是TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表说明中显示了SOT-665中使用的包装盒，该SOT-6655提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SSMINI5-F4-B，以及双重配置，该器件也可以用作125mW功率最大值。此外，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），该器件以100mA电流收集器Ic Max提供，该器件具有50V的电压收集器-发射器击穿最大值，电阻器基极R1欧姆为10k，电阻器基极R2欧姆为10k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为35@5mA，10V，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA，10mA，集电极截止最大值为500nA，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50 V，晶体管极性为NPN PNP，连续集电极电流为-100 mA，典型输入电阻为10千欧姆。
DMG904010R是TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mV@10mA、100mA/500mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于NPN、PNP的晶体管类型，该NPN、，除了125mW最大功率外，该设备还可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为SOT-563、SOT-666，该器件为SMD/SMT安装型，该器件具有安装型表面安装，其最大工作温度范围为+150℃，增益带宽乘积fT为150 MHz，频率转换为150MHz，直流电流增益hFE Min Ic Vce为210@2mA，10V，直流集电极基极增益hFE Min为210，集电极Ic Max为100mA，集电极截止电流Max为100μA，连续集电极电流为-100 mA，配置为双，集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V。
DMG9435-13，电路图由DIODES制造。是IC芯片的一部分。
