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DMG963010R是TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI5,包括Digi-ReelR替代包装包装,它们设计用于SMD/SMT安装方式,数据表说明中显示了SOT-665中使用的包装盒,该SOT-6655提供了表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于SSMINI5-F4-B,以及双重配置,该器件也可以用作125mW功率最大值。此外,晶体管类型为1 NPN,1 PNP-预偏置(双),该器件以100mA电流收集器Ic Max提供,该器件具有50V的电压收集器-发射器击穿最大值,电阻器基极R1欧姆为10k,电阻器基极R2欧姆为10k,直流电流增益hFE最小Ic Vce为35@5mA,10V,Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA,10mA,集电极截止最大值为500nA,其最大工作温度范围为+150 C,集电极-发射极电压VCEO最大值为-50 V,晶体管极性为NPN PNP,连续集电极电流为-100 mA,典型输入电阻为10千欧姆。
DMG904010R是TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SSMINI6,包括50V集电极-发射极击穿最大值,它们设计为在300mV@10mA、100mA/500mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于NPN、PNP的晶体管类型,该NPN、,除了125mW最大功率外,该设备还可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外,封装外壳为SOT-563、SOT-666,该器件为SMD/SMT安装型,该器件具有安装型表面安装,其最大工作温度范围为+150℃,增益带宽乘积fT为150 MHz,频率转换为150MHz,直流电流增益hFE Min Ic Vce为210@2mA,10V,直流集电极基极增益hFE Min为210,集电极Ic Max为100mA,集电极截止电流Max为100μA,连续集电极电流为-100 mA,配置为双,集电极-发射极电压VCEO Max为-50 V。
DMG9435-13,电路图由DIODES制造。是IC芯片的一部分。