9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DZT5551-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DZT5551-13参考价格为0.42000美元。Diodes Incorporated DZT5551-13包装/规格：TRANS NPN 160V 0.6A SOT-223。您可以下载DZT5551-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DZT491-13是TRANS NPN 60V 1A SOT-223，包括DZT491系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备以1W功率最大值提供，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为1A，集电器-发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@500mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@100mA，1A，集电器截止最大值为100nA，频率转换为150MHz，Pd功耗为1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.5 V，集电极基极电压VCBO为80 V，且发射极基极电压VEBO为5V，且最大DC集电极电流为2A，且增益带宽乘积fT为150MHz，且连续集电极电流是1A，且DC集电极基极增益hfe Min为30，且DC电流增益hfe Max为300。
DZT5401-13是TRANS PNP 150V 0.6A SOT-223，包括150V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在500mV@5mA、50mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000282 oz，提供PNP等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在PNP中工作，以及SOT-223供应商设备包，该装置也可以用作DZT5401系列。此外，功率最大值为1W，该器件提供1000 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-261-4、TO-261AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为-600mA，增益带宽积fT为300MHz，频率转换为300MHz；发射极基极电压VEBO为-5V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为60@10mA，5V，直流集电极基极增益hFE最小为50，在-1mA-5V时，集电极Ic最大为600mA，集电极截止最大为50nA（ICBO），并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO最大值为-150V，集电极/发射极饱和电压为-500mV，集电极基极电压VCBO为-160V。
DZT5401-7-F，电路图由DIODES制造。DZT5401-7-F采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
