9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DZT751-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DZT751-13参考价格$4.44000。Diodes Incorporated DZT751-13包装/规格：TRANS PNP 60V 3A SOT-223。您可以下载DZT751-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DZT658-13是TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223，包括DZT658系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为1W，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为500mA，集电器-发射极击穿最大值为400V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为40@200mA，10V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@10mA，100mA，集电器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为50MHz，Pd功耗为1000mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为400V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为500mV，集电极基极电压VCBO为400V，且发射极基极电压VEBO为5V，且最大DC集电极电流为1A，且增益带宽乘积fT为50MHz，且DC集电极基极增益hfe Min在200mA 10V时为40，且DC电流增益hfe Max在1mA 5V时为50。
DZT651-13是TRANS NPN 60V 3A SOT-223，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在600mV@300mA、3A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000282盎司，提供晶体管类型功能，如NPN，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及SOT-223供应商设备包，该装置也可以用作DZT651系列。此外，功率最大值为1W，该器件提供2000 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-261-4、TO-261AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为6A，增益带宽积fT为200MHz，频率转换为200MHz；发射极基极电压VEBO为5V；直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@500mA，2V，直流电流增益h FE最大值为70；直流集电极基极增益hFE最小值为40，在2A2V，集电极Ic最大值为3A，并且集电极截止电压最大值为100nA（ICBO），并且配置为单一，集电极-发射极电压VCEO最大值为60V，集电极发射极饱和电压为600mV，并且集电极基极电压VCBO为80V。
DZT651A-13，电路图由DIODES制造。DZT651A-13采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
