- 适用于开关（电机驱动等）和负载开关应用的MOSFET
- 低导通电阻、高速切换和高鲁棒性
H5N2305P-E
- 描述:POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 45
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 45+ | 48.74471 | 2193.51226 |
- 库存: 310
- 单价: ¥48.74472
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,193.51
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 特征频率 -
- 晶体管类别 -
- 最大集电极电流 (Ic) -
- 集电极击穿电压 -
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) -
- 集电极最大截止电流 -
- 最小直流增益 -
- 最大功率 -
- 工作温度 -
- 安装类别 -
- 包装/外壳 -
- 供应商设备包装 -
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
H5N2305P-E 产品详情
H5N2305P-E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| H5N2305P-E | 瑞萨电子 (Renesas) | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥48.74472 |
 | H5N2521FN-E#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥7.02561 |
 | H5N2521FN-E-AR | 瑞萨电子 (Renesas) | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥7.02561 |
 | H5N3007FL-M0-E#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta） 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: 150摄氏度 | ¥24.11886 |
 | H5N2512FN-E | 瑞萨电子 (Renesas) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥24.481 |
 | H5N2007FN-E | 瑞萨电子 (Renesas) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥26.43659 |
| H5N2901LSTL-E | 瑞萨电子 (Renesas) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥17.67268 |
 | H5N2901FN-E | 瑞萨电子 (Renesas) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥17.67268 |
 | H5N3011P80-E#T2 | 瑞萨电子 (Renesas) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥91.4054 |
 | H5N2513PL-E | 瑞萨电子 (Renesas) | N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥116.10369 |
H5N2305P-E所属分类：分立双极结型晶体管，H5N2305P-E 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。H5N2305P-E价格参考￥48.744717，你可以下载 H5N2305P-E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询H5N2305P-E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
