9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DN0150BDJ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DN0150BDJ-7参考价格为0.38000美元。Diodes Incorporated DN0150BDJ-7包装/规格：TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963。您可以下载DN0150BDJ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DN0150ADJ-7是TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963，包括DN0150系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如SOT-963，安装类型设计为在表面安装中工作，该设备也可以用作双配置。此外，功率最大值为300mW，该器件采用2 NPN（双）晶体管类型，该器件具有100mA的集电极Ic最大值，集电极-发射极击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为120@2mA、6V，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@10mA、100mA，集电极截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为60MHz，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为60 V，发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为0.1 A，并且增益带宽乘积fT为60MHz，并且DC集电极基极增益hfe Min在6V下的2mA下为120，并且DC电流增益hfe Max在6V时的2mA处为120。
DN0150ALP4-7B是TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3，包括NPN晶体管极性，它们设计用于DN0150系列，Pd功耗如数据表注释所示，用于450mW，提供卷轴等包装功能，包装盒设计用于DFN1006H3-3，以及SMD/SMT安装样式，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为200 mA，该器件具有60 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为5 V，在2 mA 6 V时，直流集电极基极增益hfe Min为120，连续集电极电流100 mA，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，集电极发射极饱和电压为250 mV，集电极基极电压VCBO为60 V。
DN0150ALP4-7是双极晶体管-BJT NPN 50V 0.1A 3-PIN SMT，包括60 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在50 V集电极-发射极电压VCEO最大值下工作，配置如数据表注释所示，用于单体，提供直流集电极基基增益hfe Min功能，例如在6 V时2 mA时120，DC电流增益hFE Max被设计为在6V下在2 mA下工作120，以及5V发射极基极电压VEBO，该器件也可以用作60 MHz增益带宽产品fT。此外，最大DC集电极电流为0.1 A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为SMD/SMT，封装外壳为DFN，封装为Reel，Pd功耗为450mW，系列为DN0150，晶体管极性为NPN。
