9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DN0150BLP4-7B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DN0150BLP4-B参考价格0.169734美元。Diodes Incorporated DN0150BLP4-7B包装/规格：TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3。您可以下载DN0150BLP4-7B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DN0150BLP4-7B价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DN0150BDJ-7是TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963，包括DN0150系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如SOT-963，安装类型设计为在表面安装中工作，该设备也可以用作双配置。此外，功率最大值为300mW，该器件采用2 NPN（双）晶体管类型，该器件具有100mA的电流收集器Ic最大值，电压收集器-发射器击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA，6V，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@10mA，100mA，电流收集器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为60MHz，Pd功耗为300mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为60 V，发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为0.1 A，并且增益带宽乘积fT为60MHz，并且DC集电极基极增益hfe Min在6V下的2mA时为200，并且DC电流增益hfe Max在6V时的2mA处为200。
DN0150BLP4-7是TRANS NPN 50V 0.1A X1-DFN1006-3，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@10mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供晶体管极性功能，如NPN，供应商设备包设计为在X2-DFN1006-1和DN0150系列中工作，该设备也可以用作450mW最大功率。此外，Pd功耗为450mW，该设备采用Digi-ReelR替代包装包装，该设备具有3-XFDFN封装盒，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为0.1A，增益带宽积fT为60MHz，频率转换为60MHz；发射极基极电压VEBO为5V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为200@2mA，6V，直流电流最大增益hFE Max为200，在6V时为2mA，直流集电极基极增益hFE Min为200，集电极截止电流最大值为100nA（ICBO），并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO最大值为50V，集电极基极电压VCBO为60V。
DN0150ALP4-7B是TRANS NPN 50V 0.1A DFN1006H4-3，包括60 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在250 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max如数据表注释所示，用于50 V，提供配置功能，如单次连续集电极电流设计为在100 mA下工作，该器件还可以用作5V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为60 MHz，该器件的最大直流集电极电流为200 mA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为SMD/SMT，包装箱为DFN1006H4-3，包装为卷筒，Pd功耗为450 mW，系列为DN0150，晶体管极性为NPN。
