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PMXB56ENZ带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于3-XDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于DFN1010D-3，以及MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型，该器件还可以用作400mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供209pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为3.2A（Ta），最大Id Vgs的Rds为55mOhm@3.2A，10V，Vgs th最大Id为2V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为6.3nC@10V。
PMXB43UNEZ和NXP制造的用户指南。是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，支持“MOSFET 20 V、N沟道20V 3.2A（Ta）400mW（Ta）、8.33W（Tc）表面安装DFN1010D-3、Trans MOSFET N-CH 20V 3.2A 3引脚DFN-D EP T/R、MOSFET 20伏、N沟沟道MOSFET”。
PMXB65ENEZ，带有NXP制造的电路图。是晶体管-双极（BJT）-RF的一部分，并支持“双极晶体管-BJT 31 V，N沟道30V 3.2A（Ta）400mW（Ta），8.33W（Tc）表面安装DFN1010D-3，Trans MOSFET N-CH 30V 3.2B 3-Pin DFN-D EP T/R，双极晶体管-双极晶体管31 V，N-沟道沟槽MOSFET。
