9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PMXB360ENEAZ，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMXB360ENEAZ参考价格为0.43000美元。Nexperia USA Inc.PMXB360ENEAZ封装/规格：MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3。您可以下载PMXB360ENEAZ英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PMXB120EPE带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于3-XDFN暴露焊盘封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商器件封装设计用于DFN1010D-3，以及MOSFET P沟道、金属氧化物FET类型，该器件还可以用作400mW最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供309pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性标准，25°C的电流连续漏极Id为2.4A（Ta），最大Id Vgs的Rds为120 mOhm@2.4A，10V，Vgs th最大Id为2.5V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为11nC@10V。
PMXB120EPEZ，带有NXP制造的用户指南。PMXB120EPEZ在DFN1010D-3封装中提供，是晶体管-双极（BJT）-RF的一部分，并支持“双极晶体管-BJT 30 V，P沟道30V 2.4A（Ta）400mW（Ta），8.3W（Tc）表面安装DFN1010D-3，Trans MOSFET P-CH 30V 2.4B 3引脚DFN-D EP T/R，双极晶体管-双极T 30 V、P沟道沟槽MOSFET”。
PMXB350UPEZ，带有NXP制造的电路图。是晶体管-双极（BJT）-RF的一部分，并支持“双极晶体管-BJT 20 V，P沟道20V 1.2A（Ta）360mW（Ta），5.68W（Tc）表面安装DFN1010D-3，Trans MOSFET P-CH 20V 1.2A 3引脚DFN-D EP T/R，双极晶体管-双极T 20 V、P沟道沟槽MOSFET。
