9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DZT853-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DZT853-13参考价格为0.37美元。Diodes Incorporated DZT853-13包装/规格：TRANS NPN 100V 6A SOT223。您可以下载DZT853-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DZT658-13是TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223，包括DZT658系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为1W，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为500mA，集电器-发射极击穿最大值为400V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为40@200mA，10V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@10mA，100mA，集电器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为50MHz，Pd功耗为1000mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为400V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为500mV，集电极基极电压VCBO为400V，且发射极基极电压VEBO为5V，且最大DC集电极电流为1A，且增益带宽乘积fT为50MHz，且DC集电极基极增益hfe Min在200mA 10V时为40，且DC电流增益hfe Max在1mA 5V时为50。
DZT851-13是TRANS NPN 60V 6A SOT-223，包括60V集电极-发射极击穿最大值，其设计工作电压为375mV@300mA，6A Vce饱和最大值Ib Ic，单位重量如数据表注释所示，用于0.000282 oz，提供晶体管类型功能，如NPN，晶体管极性设计用于NPN，以及SOT-223供应商设备包，该装置也可作为DZT851系列使用。此外，功率最大值为1W，该器件提供1 W/3 W Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-261-4、TO-261AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为6A，增益带宽积fT为130MHz，频率转换为130MHz；发射极基极电压VEBO为6V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为100@2A，1V，直流电流最大增益hFE Max为300，直流集电极基极增益hFE Min为25，集电极Ic Max为6A，集电极截止电流最大值为50nA（ICBO），并且连续集电极电流为6A，并且配置为单集电极-发射极电压VCEO Max为60V，集电极-发射器饱和电压为375mV，集电极基极电压VCBO为150V。
DZT751-13是TRANS PNP 60V 3A SOT-223，包括-80 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在-600 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO最大值如数据表注释所示，用于-60 V，具有单级、集电极截止最大值设计为在100nA（ICBO）下工作，除了3A电流收集器Ic Max，该设备还可以在2A 2 V DC收集器基础增益hfe Min时用作40。此外，DC电流增益hfe Max为70，该设备提供100@500mA、2V DC电流增益h FE Min Ic Vce，该设备具有-5 V发射器基础电压VEBO，频率转换为145MHz，增益带宽乘积fT为145MHz，最大直流集电极电流为-6 A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型为表面安装，安装方式为SMD/SMT，封装外壳为TO-261-4、TO-261AA，封装为Digi-ReelR交替封装，Pd功耗为2000 mW，最大功率为1W，该系列为DZT751，供应商器件封装为SOT-223，晶体管极性为PNP，晶体管类型为PNP。单位重量为0.000282盎司，Vce饱和最大Ib-Ic为600mV@300mA，3A，集电极-发射极击穿最大值为60V。
