9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DZT658-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DZT658-13参考价格为0.212美元。Diodes Incorporated DZT658-13包装/规格：TRANS NPN 400V 0.5A SOT-223。您可以下载DZT658-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DZT651-13是TRANS NPN 60V 3A SOT-223，包括DZT651系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为1W，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为3A，集电器-发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@500mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为600mV@300mA，3A，集电器截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为200MHz，Pd功耗为2000mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为600 mV，集电极基极电压VCBO为80 V，并且发射极基极电压VEBO为5V，并且最大DC集电极电流为6A，并且增益带宽乘积fT为200MHz，并且DC集电极基极增益hfe Min在2A2V时为40，并且DC电流增益hfe Max为70。
DZT591C-13是双极晶体管-BJT 1W-60V，包括0.000282盎司的单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如DZT591中使用的数据表注释所示，该DZT591具有1 W等Pd功耗特性，包装设计用于卷筒，以及SOT-223封装盒，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为-2A，增益带宽积fT为150MHz，发射极基极电压VEBO为-5V，直流电流增益hFE Max为300，直流集电极基极增益hFE Min为15，连续集电极电流是-1A，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO最大值为-60 V，集电极/发射极饱和电压为-0.6 V，集极基极电压VCBO为-80 V。
DZT651A-13，电路图由DIODES制造。DZT651A-13采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
