9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIZ918DT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIZ918DT-T1-GE3价格参考1.31000美元。Vishay Siliconix SIZ918DT-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 16A电源对。您可以下载SIZ918DT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIZ914DT-T1-GE3，带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供TrenchFET等商标特征，封装外壳设计为在8-WDFN暴露焊盘中工作，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的8-PowerPairR，配置为双通道，FET类型为2 N通道（半桥），最大功率为22.7W、100W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1208pF@15V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为16A、40A，最大Id Vgs为6.4 mOhm@19A、10V，Vgs最大Id为2.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为26nC@10V，Pd功耗为22.7 W 100 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns 19 ns，上升时间为11 ns 127 ns，Vgs栅极-源极电压为-16 V+20 V，Id连续漏极电流为16 A 40 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V 30 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.2 V 1 V，Rds漏极源极电阻为6.4 m欧姆1.37 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns 40ns，典型接通延迟时间为16ns 40ns；Qg栅极电荷为17nC 66nC，正向跨导最小值为55S 68S，信道模式为增强。
SIZ916DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 16A电源对，包括2.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在2.4 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V 30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns 27 ns，典型的关闭延迟时间设计为23 ns 66 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchFET，该设备采用Si技术，该设备具有6-PowerPair？供应商器件封装，系列为TrenchFETR，上升时间为20 ns 83 ns，Rds On Max Id Vgs为6.4 mOhm@19A，10V，Rds On漏极-源极电阻为1.3 mOhm 1.75 mOhm，Qg栅极电荷为7.2 nC 45 nC，最大功率为22.7W，100W，Pd功耗为22.7 W 100 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为6-PowerPair？，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为1208pF@15V，Id连续漏电流为16A，栅极电荷Qg Vgs为26nC@110V，正向跨导最小值为55 S 116 S，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，下降时间为5 ns 10 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为16A，40A，配置为双通道，通道模式为增强型。
SIZ910DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 40A功率对，包括双重配置，它们设计为在40A电流连续漏极Id 25°C下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于30V，提供10 ns 12 ns等下降时间特性，FET特性设计为在逻辑电平门以及2 N沟道（半桥）FET类型中工作，该器件还可以用作94 S 140 S正向跨导最小值。此外，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，该器件提供22 A Id连续漏电流，该器件具有1500pF@15V输入电容Cis Vds，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型为表面安装，安装类型为SMD/SMT，通道数为2通道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为8-PowerWDFN，封装为Digi-ReelR交替封装，零件别名为SIZ910DT-GE3，Pd功耗为4.6 W 5.2 W，最大功率为48W、100W，漏极电阻为4.8 mOhms 2.5 mOhms，Rds On最大Id Vgs为5.8mOhm@20A，10V，上升时间为25ns 35ns，串联为TrenchFETR，供应商器件封装为8-PowerPairR，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs th最大Id为2.2V@250μA。
