高侧和低侧MOSFET在一个紧凑的封装中,同时仍然获得与两个分立器件相当的低导通电阻和高电流。
SIZ340ADT-T1-GE3
- 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc) 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 8.40176 | 8.40176 |
10+ | 7.49640 | 74.96402 |
100+ | 5.84574 | 584.57450 |
500+ | 4.82898 | 2414.49300 |
1000+ | 3.81230 | 3812.30000 |
3000+ | 3.81230 | 11436.90000 |
- 库存: 18
- 单价: ¥8.40176
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.40
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 场效应管特性 标准
- 场效应管类型 2个N通道(双通道)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 供应商设备包装 8-Power33 (3x3)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 9.4毫欧姆 @ 10A, 10V, 4.29毫欧姆 @ 20A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12.2nC @ 10V, 27.9nC @ 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 580皮法 @ 15V, 1290皮法 @ 15V
- 最大功率 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc)
SIZ340ADT-T1-GE3 产品详情
双N沟道MOSFET PowerPAIR®,Vishay半导体
SIZ340ADT-T1-GE3所属分类:场效应晶体管阵列,SIZ340ADT-T1-GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIZ340ADT-T1-GE3价格参考¥8.401764,你可以下载 SIZ340ADT-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIZ340ADT-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...