9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG9926UDM-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG9926UDM-7参考价格为0.56000美元。Diodes Incorporated DMG9926UDM-7封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26。您可以下载DMG9926UDM-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMG964H30R是TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，数据表注释中显示了用于SOT-563、SOT-666的包装盒，该SOT-563、SOT-667提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包装设计用于SSMINI6-F3-B，以及双重配置，该器件也可以用作125mW功率最大值。此外，晶体管类型为1 NPN，1 PNP-预偏置（双），该器件提供100mA集流器Ic最大值，该器件具有50V的集流器-发射极击穿最大值，电阻器基极R1欧姆为47k，1k，电阻器基极R2欧姆为47k，10k，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V/30@5mA、10V，Vce饱和最大值Ib-Ic为250mV@500μA，10mA，集电极截止最大值为500nA，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50 V，晶体管极性为NPN PNP，连续集电极电流为-100 mA，典型输入电阻为47千欧。
DMG964H50R是TRANS PREBIAS NPN/PNP SSMINI6，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在250mV@500μa、10mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作。数据表注释中显示了用于47千欧的典型输入电阻器，其提供了晶体管类型的功能，如1 NPN、1 PNP-预偏置（双），晶体管极性设计为在NPN PNP中工作，以及SSMini6-F3-B供应商设备包，该设备也可以用作47k电阻发射极基极R2欧姆。此外，电阻器基极R1欧姆为47k，10k，该器件的最大功率为125mW，该器件具有Digi-ReelR替代封装，封装外壳为SOT-563、SOT-666，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，直流电流增益hFE最小Ic Vce为80@5mA，10V，集电极Ic最大值为100mA，集电极截止值最大值为500nA，连续集电极电流为-100mA，配置为双重，集电极-发射极电压VCEO最大值为-50V。
DMG9926UDM，电路图由DIODES制造。DMG9926UDM在TSOP-6封装中提供，是FET阵列的一部分。
