增强型场效应晶体管采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺被设计为最小化导通电阻,提供坚固可靠的性能和快速切换。
特色
- N-Ch 0.22 A,25 V,RDS(ON)=4.0Ω@VGS=4.5 V,RDS=5.0Ω@VGS=2.7 V
- P-Ch-0.41 A,-25V,RDS(开启)=1.1Ω@VGS=-4.5V,RDS(打开)=1.5Ω@VGS=-2.7V。
- 非常小的包装轮廓SC70-6。
- 极低水平的栅极驱动要求,允许在3 V电路中直接操作(V GS(th)<1.5 V)
- 用于ESD耐用性的栅源齐纳(>6kV人体模型)。
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。