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FDG6316P

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.25930 3.25930
10+ 2.76678 27.66788
100+ 2.06784 206.78480
500+ 1.62487 812.43600
1000+ 1.25555 1255.55700
3000+ 1.17501 3525.04800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.76631
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.26
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 最大功率 300mW
  • 漏源电压标 (Vdss) 12伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 供应商设备包装 SC-88(SC-70-6)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 700毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 270毫欧姆@700毫安,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.4nC@4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 146皮法@6V

FDG6316P 产品详情

PowerTrench®双P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • -0.7安培,-12伏
  • RDS(开启)=270 mΩ@VGS=-4.5 V
  • RDS(ON)=360 mΩ@VGS=-2.5 V
  • RDS(开启)=650 mΩ@VGS=-1.8 V
  • 低栅极电荷
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 紧凑型行业标准SC70-6表面安装封装

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDG6316P所属分类:场效应晶体管阵列,FDG6316P 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDG6316P价格参考¥3.766308,你可以下载 FDG6316P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDG6316P规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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