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FDG6301N

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.00531 1.00531
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  • 单价: ¥1.00532
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    - +
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 最大功率 300mW
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 供应商设备包装 SC-88(SC-70-6)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 9.5皮法 @ 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 220毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 4欧姆 @ 220毫安, 4.5V

FDG6301N 产品详情

汽车N沟道MOSFET,Fairchild半导体

Fairchild Semiconductor通过全面掌握质量、安全和可靠性标准,提供解决汽车市场复杂挑战的解决方案。

特色

  • 25 V,0.22 A连续,0.65 A峰值。
  • RDS(开)=4Ω@VGS=4.5 V,
  • RDS(开)=5Ω@VGS=2.7 V。
  • 极低水平的栅极驱动要求,允许在3 V电路中直接操作(VGS(th)<1.5 V)。
  • 用于ESD耐用性的栅源齐纳(>6kV人体模型)。
  • 紧凑型行业标准SC70-6表面安装封装。

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDG6301N所属分类:场效应晶体管阵列,FDG6301N 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDG6301N价格参考¥1.005315,你可以下载 FDG6301N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDG6301N规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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