SIZF906DT-T1-GE3

Name: SIZF906DT-T1-GE3
Brand: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
SKU: 7117770-SIZF906DT-T1-GE3
Price: 12.675075 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 2 N通道（半桥）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TA）
品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
交期:5-7 工作日

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10+	11.32789	113.27896
100+	8.83271	883.27170
500+	7.29635	3648.17650
1000+	5.76027	5760.27800
3000+	5.76027	17280.83400

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规格参数

部件状态可供货
场效应管类型 2 N通道（半桥）
安装类别表面安装
漏源电压标 (Vdss) 30伏
场效应管特性标准
制造厂商黑森尔 (Vishay Siliconix)
包装/外壳 8-PowerWDFN
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
供应商设备包装 8-PowerPair (6x5)
漏源电流 (Id) @ 温度 60A (Tc)
导通电阻 Rds(ON) 3.8毫欧姆 @ 15A, 10V, 1.17毫欧姆 @ 20A, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 15V时2000皮法，15V时8200皮法
最大功率 38W (Tc), 83W (Tc)
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TA）

SIZF906DT-T1-GE3 产品详情

SIZF906DT-T1-GE3 相关器件

型号	制造商	描述	价格
SIZ260DT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥9.12605
SIZ918DT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2 N通道（半桥）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 16A、28A 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥9.4882
SIZ270DT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Ta), 19.5A (Tc), 6.9A (Ta), 19.1A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥10.71949
SIZ346DT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc）、30A（Tc）供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.5046
SIZ342ADT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 15.7A（Ta）、33.4A（Tc）供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.51861
SIZ340ADT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 15.7A (Ta), 33.4A (Tc), 25.4A (Ta), 69.7A (Tc) 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥8.40176
SIZ988DT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc), 60A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥9.70549
SIZF906BDT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2 N通道（双通道），肖特基场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥12.53022
Size 675	微动力电池公司 (Micropower)	电池化学物质成份: Zinc Air 额定电压: 1.45伏电芯尺寸: 硬币，11.6毫米端接样式: 需要支架大小/尺寸: 0.45“直径x 0.21”高（11.6毫米x 5.4毫米）包装: 零售套餐	¥2.04011
SIZ250DT-T1-GE3	黑森尔 (Vishay Siliconix)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、38A（Tc）供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥9.12605

SIZF906DT-T1-GE3所属分类：场效应晶体管阵列，SIZF906DT-T1-GE3 由黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SIZF906DT-T1-GE3价格参考￥12.675075，你可以下载 SIZF906DT-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SIZF906DT-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！