9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ912DEP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ912DEP-T1_GE3参考价格$1.10000。Vishay Siliconix SQJ912DEP-T1_GE3包装/规格：AUTOMOTIVE DUAL N CHANNEL 40 V（。您可以下载SQJ912DEP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ912AEP-T1_GE3，带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及PowerPAKR SO-8双封装外壳，该设备也可以用作Si技术，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有PowerPAKR SO-8双电源器件封装，配置为双电源，FET类型为2 N通道（双电源），最大功率为48W，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为1835pF@220V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为30A，最大Id Vgs的Rds为9.3 mOhm@9.7A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为38nC@10V，Pd功耗为48W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第栅极-源阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型导通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为25.6nC。
SQJ858AEP-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8，包括第2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以TrenchFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为SQ系列，上升时间为9 ns，漏极-源极电阻Rds为6.3 mOhms，Qg栅极电荷为36 nC，Pd功耗为48 W，部件别名为SQJ848AEP-T1-GE3，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为58 A，下降时间为8 ns，配置为单一。
SQJ884EP-T1_GE3带有电路图，包括卷筒包装，它们设计用于SQ系列系列，数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供了TrenchFET等商标功能。
