9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIZ998DT-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIZ998DT-T1-GE3价格参考1.62000美元。Vishay Siliconix SIZ998DT-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2 N-CH 30V 8-POWERPAIR。您可以下载SIZ998DT-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SIZ998DT-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SIZ914DT-T1-GE3，带有引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供TrenchFET等商标特征，封装外壳设计为在8-WDFN暴露焊盘中工作，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的8-PowerPairR，配置为双通道，FET类型为2 N通道（半桥），最大功率为22.7W、100W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1208pF@15V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为16A、40A，最大Id Vgs为6.4 mOhm@19A、10V，Vgs最大Id为2.4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为26nC@10V，Pd功耗为22.7 W 100 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5 ns 19 ns，上升时间为11 ns 127 ns，Vgs栅极-源极电压为-16 V+20 V，Id连续漏极电流为16 A 40 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V 30 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.2 V 1 V，Rds漏极源极电阻为6.4 m欧姆1.37 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns 40ns，典型接通延迟时间为16ns 40ns；Qg栅极电荷为17nC 66nC，正向跨导最小值为55S 68S，信道模式为增强。
SIZ916DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 16A电源对，包括2.4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在2.4 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于30 V 30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如20 ns 27 ns，典型的关闭延迟时间设计为23 ns 66 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchFET，该设备采用Si技术，该设备具有6-PowerPair？供应商器件封装，系列为TrenchFETR，上升时间为20 ns 83 ns，Rds On Max Id Vgs为6.4 mOhm@19A，10V，Rds On漏极-源极电阻为1.3 mOhm 1.75 mOhm，Qg栅极电荷为7.2 nC 45 nC，最大功率为22.7W，100W，Pd功耗为22.7 W 100 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为6-PowerPair？，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Cis-Vds为1208pF@15V，Id连续漏电流为16A，栅极电荷Qg Vgs为26nC@110V，正向跨导最小值为55 S 116 S，FET类型为2 N沟道（半桥），FET特性为标准，下降时间为5 ns 10 ns，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为16A，40A，配置为双通道，通道模式为增强型。
SIZ918DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR，包括增强通道模式，它们设计用于双配置，电流连续漏极Id 25°C如数据表注释所示，用于16A、28A，提供漏极到源极电压Vdss功能，如30V，FET功能设计用于逻辑电平门，以及2N沟道（半桥）FET型，该器件也可以用作21nC@10V栅极电荷Qg-Vgs。此外，Id连续漏极电流为28A，该器件提供790pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，通道数为2通道，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为6-PowerPair？，封装为Digi-ReelR交替封装，零件别名为SIZ918DT-GE3，Pd功耗为100W，功率最大值为29W、100W，漏极-源极电阻Rds为12 mOhm，最大值Rds Id Vgs为12mOhm@13.8A、10V，系列为TrenchFETR，供应商设备封装为6-PowerPair？，工艺为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为2N沟道，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs最大Id为2.2V@250μA。
SIZ920DT-T1-GE3是MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR，包括TrenchFETR系列，它们设计用于表面安装安装型，FET功能如数据表注释所示，用于标准，提供SMD/SMT等安装型功能，零件别名设计用于SIZ920DT-GE3，以及Si技术，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，信道模式为增强型，该设备提供双配置，该设备具有Digi-ReelR交替封装，漏极源极电阻Rds为7.1 mOhm，最大Id Vgs Rds为7.1mOhm@18.9A，10V，封装外壳为6-PowerPair？，供应商设备包为6-PowerPair？，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），电流连续漏极Id 25°C为40A，Id连续漏极电流为40A；最大功率为39W、100W，栅极电荷Qg Vgs为35nC@110V，漏极至源极电压Vdss为30V，Vds漏极-源极击穿电压为30V；Vgs最大Id为2.5V@250μA，FET类型为2 N沟道（半桥），晶体管类型为2N沟道，沟道数为2沟道，输入电容Cis-Vds为1260pF@15V，Pd功耗为100W。
