9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG1016VQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG1016VQ-7参考价格为0.51000美元。Diodes Incorporated DMG1016VQ-7封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V SOT563。您可以下载DMG1016VQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMG1016UDW-7是MOSFET N/P-CH 20V SOT363，包括DMG1016系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有供应商器件封装的SOT-363，配置为N信道P信道，FET类型为N和P信道，最大功率为330mW，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为60.67pF@10V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为1.07A，845mA，最大Id Vgs为450mOhm@600mA，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为0.74nC@4.5V，Pd功耗为330mW，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12.3纳秒，上升时间为7.4纳秒，Vgs栅极-源极电压为6 V，Id连续漏极电流为1066 mA 845 mA，Vds漏极-源极击穿电压为20 V 20 V，Rds漏极源极电阻为750 mOhms 1.05欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为26.7ns，典型接通延迟时间为5.1ns，信道模式为增强。
DMG1013UW-7是MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323，包括1V@250μA Vgs th Max Id，设计用于6 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供单位重量功能，如0.000212 oz，典型开启延迟时间设计为5.1 ns，以及28.4 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有SOT-323供应商器件封装，系列为DMG1013，上升时间为8.1 ns，Rds On Max Id Vgs为750 mOhm@430mA，4.5V，Rds On漏极-源极电阻为1.5欧姆，功率最大值为310mW，Pd功耗为310 mW，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为SC-70、SOT-323，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为59.76pF@16V，Id连续漏极电流为820 mA，栅极电荷Qg Vgs为0.622nC@4.5V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为20.7 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为820mA（Ta），配置为单一，并且信道模式是增强。
带有电路图的DMG1013UWQ-7，包括增强信道模式，它们设计为在1P信道配置下工作，下降时间显示在数据表注释中，用于20.7 ns，提供正向跨导最小特性，如0.9 S，Id连续漏电流设计为在-820 mA下工作，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1通道数的通道，器件具有SOT323-3封装盒，封装为卷轴，Pd功耗为310 mW，Qg栅极电荷为622.4 pC，Rds漏极源极电阻为1.5欧姆，上升时间为8.1 ns，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为28.4ns，典型接通延迟时间为5.1ns，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为+/-6V，Vgs第h栅极-源阈值电压为-1V。
DMG1013UWQ-13具有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于卷筒包装。
