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FDG6335N

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.12845 4.12845
10+ 3.52004 35.20049
100+ 2.62989 262.98970
500+ 2.06654 1033.27200
1000+ 1.59684 1596.84200
3000+ 1.49442 4483.28400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.69388
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.13
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 最大功率 300mW
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 供应商设备包装 SC-88(SC-70-6)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.4nC @ 4.5V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 700毫安
  • 导通电阻 Rds(ON) 300毫欧姆 @ 700毫安, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 113皮法@10V

FDG6335N 产品详情

该N沟道MOSFET专门设计用于使用同步或常规开关PWM控制器来提高DC/DC转换器的整体效率。它已被优化用于小型开关稳压器,在一个小封装中提供极低的RDS(ON)和栅极电荷(QG)。

应用
·DC/DC转换器
·电源管理
·负荷开关

特色

  • 0.7A,20VRDS(开启)=300mΩ@VGS=4.5VRDS(打开)=400mΩ@VGS=2.5V
  • 低栅极电荷(典型1.1nC)
  • 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
  • 紧凑型行业标准SC70-6表面安装组件

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDG6335N所属分类:场效应晶体管阵列,FDG6335N 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDG6335N价格参考¥3.693879,你可以下载 FDG6335N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDG6335N规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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