9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SCH1402-S-TL-E，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SCH1402-S-TL-E参考价格为0.09000美元。onsemi SCH1402-S-TL-E封装/规格：N沟道MOSFET。您可以下载SCH1402-S-TL-E英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SCH1337-TL-W带有引脚细节，包括卷筒包装，其设计用于0.000289盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供SOT-563-6等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为800mW，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10.6 ns，上升时间为4.2 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为-2A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为-2.6V，Rds漏极-源极电阻为292mOhm，晶体管极性为P沟道，典型的关断延迟时间为20ns，典型的接通延迟时间为4.5ns，Qg栅极电荷为3.9nC，沟道模式为增强。
SCH1337-TL-H是MOSFET开关器件，包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.000289盎司单位重量下工作。数据表注释中显示了用于1个P沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如P沟道，技术设计用于Si，以及SCH1337系列，该器件也可以用作150毫欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为卷轴式，该器件采用SOT-563-6封装盒，该器件具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为-2A。
带有电路图的SCH1345-TL-H，包括-4.5 A Id连续漏极电流，它们设计为在1通道数的通道下工作。SOT-563-6中使用的数据表注释中显示了封装情况，该SOT-5636提供了卷盘、Rds漏极源电阻等封装功能，设计为在49 mOhms下工作，以及SCH1345系列，该器件也可以用作Si技术。此外，晶体管极性为P沟道，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件的单位重量为0.000289盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V。
SCH1402-S-TL-E，带有SANYO制造的EDA/CAD模型。SCH1402-S-TL-E采用SCH6封装，是IC芯片的一部分。
