带有S或NSV前缀的制造商零件号符合AEC-Q101标准。
特色
- 提供无铅包装
- S前缀用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；AEC-Q101合格和PPAP能力
应用
- 反极性保护
- 感应负载保护
- 转向逻辑
- 高压侧开关
- 汽车控制单元
- 消费电子产品
（图片：引出线）
NVMFD6H840NLT1G
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、74A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 20.85955 | 20.85955 |
| 10+ | 18.73738 | 187.37382 |
| 100+ | 15.05943 | 1505.94380 |
| 500+ | 12.37261 | 6186.30550 |
| 1500+ | 11.24786 | 16871.79300 |
- 库存: 0
- 单价: ¥14.77552
-
数量:
- +
- 总计: ¥20.86
在线询价
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 最大功率 -
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 标准
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 漏源电压标 (Vdss) 80V
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 供应商设备包装 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 32nC @ 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 14A（Ta）、74A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 6.9毫欧姆 @ 20A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@96A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2002皮法@40V
NVMFD6H840NLT1G 产品详情
小信号PNP晶体管，ON半导体标准
NVMFD6H840NLT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVME-31USBA | 微连接公司 (Micro Connectors ) | M.2 NVME SSD USB 3.2 GEN 2X1 ADP | ¥267.91487 |
 | NVMSTOR-ULTRA-1-1.5T | 莫比维尔科技公司 (Mobiveil) | 配套使用/相关货物: XCZU19EG, Zynq UltraScale+ 种类: 可编程门阵列 涵盖内容: 董事会 | ¥78,462.3357 |
 | NVMFD5C466NLWFT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、52A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.29892 |
 | NVMFD5C672NLWFT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Ta）、49A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.92277 |
 | NVMFD5C478NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A（Ta）、29A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
 | NVMFD5C462NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A（Ta）、84A（Tc） 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.29892 |
 | NVMFD5483NLWFT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.94014 |
 | NVMFS5834NLWFT3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、75A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 107W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥9.11157 |
 | NVM100015 | 东电化 - Lambda (TDK) | 种类: 开放式 输出数量: one 电压输出1: 12伏 功率（瓦特）: 180瓦 效率值: 90% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额） | ¥1,247.22738 |
 | NVM100026 | 东电化 - Lambda (TDK) | 种类: 开放式 输出数量: one 电压输出1: 24伏 功率（瓦特）: 180瓦 效率值: 90% 工作温度: 0摄氏度~70摄氏度（带减额） | ¥1,247.22738 |
NVMFD6H840NLT1G所属分类：场效应晶体管阵列，NVMFD6H840NLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVMFD6H840NLT1G价格参考￥14.775516，你可以下载 NVMFD6H840NLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVMFD6H840NLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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