9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ960EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ960EP-T1_GE3参考价格为2.27000美元。Vishay Siliconix SQJ960EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 8A。您可以下载SQJ960EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ960EP-T1_GE3，带引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及PowerPAKR SO-8双包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有PowerPAKR SO-8双电源器件封装，配置为双电源，FET类型为2 N沟道（双），最大功率为34W，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为735pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为8A，最大Id Vgs的Rds为36 mOhm@5.3A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为34 W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为7 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Vgs第栅极-源阈值电压为2.5 V，Rds漏极源极电阻为30 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为13nC，正向跨导Min为16S。
SQJ942EP-T1-GE3是MOSFET 40V 15A N-Ch Automotive，包括1.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供典型的开启延迟时间功能，如33 ns 40 ns，典型的关闭延迟时间设计为29 ns 52 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchFET，该器件采用Si技术，该器件具有SQ系列系列，上升时间为25 ns 31 ns，漏极-源极电阻Rds为11 mOhms 22 mOhms，Qg栅极电荷为13.1 nC 22.5 nC，Pd功耗为17 W 48 W，封装为卷轴式，封装外壳为SO-8L-4，通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为15 A 45 A，下降时间为12 ns 16 ns，配置为双重。
带电路图的SQJ942EP-T1_GE3，包括双配置，它们设计为在12 ns 16 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于15 a 45 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可用作SO-8L-4包装箱。此外，封装为Reel，该器件提供17 W 48 W Pd功耗，该器件具有13.1 nC 22.5 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极源极电阻为11 mOhms 22 mOhms，上升时间为25 ns 31 ns，系列为SQ系列，技术为Si，商品名为TrenchFET，晶体管极性为N沟道，并且典型的关断延迟时间是29ns 52ns，并且典型的接通延迟时间是33ns 40ns，并且Vds漏极-源极击穿电压是40V，并且Vgs栅源极电压是20V，并且Vgsth栅源极阈值电压是1.8V。
SQJ951EP-T1_GE3带有EDA/CAD型号，包括TrenchFET商品名，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供FET功能，如标准，技术设计用于Si，以及PowerPAKR SO-8双封装外壳，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8双供应商设备包。此外，晶体管极性为P沟道，该器件在Automotive、AEC-Q101、TrenchFETR系列中提供，该器件最大功率为56W，工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），栅极电荷Qg Vgs为50nC@110V，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为30A，Vgs最大Id为2.5V@250μa，FET类型为2 P通道（双通道），晶体管类型为2 P-通道，通道数为2通道，Rds On Max Id Vgs为17mOhm@7.5A，10V，输入电容Cis-Vds为1680pF@10V。
