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NVMFD6H846NLT1G

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Ta), 31A (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.02321 12.02321
10+ 10.74122 107.41221
100+ 8.37641 837.64140
500+ 6.91943 3459.71600
1500+ 5.79381 8690.71950
  • 库存: 0
  • 单价: ¥9.48820
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.02
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 标准
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 80V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 供应商设备包装 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 9.4A (Ta), 31A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 15欧姆@5A,10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@21A.
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 900皮法 @ 40V
  • 最大功率 3.2W(Ta)、34W(Tc)

NVMFD6H846NLT1G 产品详情

NVMFD6H846NLT1G所属分类:场效应晶体管阵列,NVMFD6H846NLT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NVMFD6H846NLT1G价格参考¥9.488199,你可以下载 NVMFD6H846NLT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NVMFD6H846NLT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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