特色
- 仅SiC MOSFET功率模块
- 高速开关和低开关损耗
- 确保体二极管传导的可靠性
- 低体二极管Qrr和trr
BSM180D12P3C007
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 碳化硅（SiC） 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 漏源电流 (Id) @ 温度: 180A（Tc） 供应商设备包装: Module 工作温度: 175摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4079.63585 | 4079.63585 |
- 库存: 11
- 单价: ¥4,079.63585
-
数量:
- +
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 导通电阻 Rds(ON) -
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 场效应管特性 碳化硅（SiC）
- 漏源电压标 (Vdss) 1200V（1.2千伏）
- 包装/外壳 模块
- 供应商设备包装 Module
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 工作温度 175摄氏度（TJ）
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 900皮法 @ 10V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 180A（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.6V @ 50毫安
- 最大功率 880W
BSM180D12P3C007 产品详情
半桥模块由ROHM SiC DMOSFET组成。
BSM180D12P3C007 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BSM | 内存保护设备公司 (MPD) | 样式: Contact Snap (Negative) 电芯尺寸: 9伏 包装: 散装 | ¥1.88315 |
 | BSM100 | 布雷迪 (Brady) | RUG) BSM100 RUG, 36"X100' | ¥2,042.42537 |
 | BSM300GA160DN13CB7HOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | BSM300GA160 - INSULATED GATE BIP | ¥866.68541 |
| BSM200GB120DLCE3256HOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | BSM200GB120DLC - IGBT | ¥1,189.5739 |
| BSM300GB120DLCE3256HOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | BSM300GB120 - INSULATED GATE BIP | ¥1,506.5232 |
| BSM100GB120DLCHOSA1 | 英飞凌 (Infineon) | BSM100GB120 - INSULATED GATE BIP | ¥921.94874 |
 | BSM400S-54 | 阿斯特罗达 (Astrodyne TDI) | 种类: 开放式 输出数量: one 电压输出1: 54V 功率（瓦特）: 248W (400W Forced Air) 效率值: 91% 工作温度: -20摄氏度~40摄氏度（带减额） | ¥1,183.41743 |
 | BSM400S-19 | 阿斯特罗达 (Astrodyne TDI) | 种类: 开放式 输出数量: one 电压输出1: 19伏 功率（瓦特）: 200W (401W Forced Air) 效率值: 91% 工作温度: -20摄氏度~40摄氏度（带减额） | ¥1,045.36776 |
 | BSM400S-48 | 阿斯特罗达 (Astrodyne TDI) | 种类: 开放式 输出数量: one 电压输出1: 48V 功率（瓦特）: 250W (398W Forced Air) 效率值: 91% 工作温度: -20摄氏度~40摄氏度（带减额） | ¥1,045.36776 |
 | BSM400S-28 | 阿斯特罗达 (Astrodyne TDI) | 种类: 开放式 输出数量: one 电压输出1: 28伏 功率（瓦特）: 199W (400W Forced Air) 效率值: 91% 工作温度: -20摄氏度~40摄氏度（带减额） | ¥1,045.36776 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
