9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的2N7002BKS，115，在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。2N7002BKS，115参考价格0.42000美元。Nexperia USA Inc.2N7002BKS，115封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP。您可以下载2N7002BKS，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如2N7002BKS、115价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如2N7002BKS、115库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
2N7002BKS是MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6SSOP，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchMOS？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363，其工作温度范围为150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及6-TSSOP供应商设备包，该设备也可用作2 N通道（双）FET类型。此外，最大功率为295mW，器件提供60V漏极到源极电压Vdss，器件具有50pF@10V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为300mA，最大Id Vgs上的Rds为1.6 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为2.1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为0.6nC@4.5V。
2N7002BKMB，315是MOSFET N-CH 60V 450MA 3DFN，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于3-DFN1006B（0.6x1）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于1.6 Ohm@450MA，10V，提供功率最大特性，如360mW，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及3-XFDFN包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供50pF@10V输入电容Cis-Vds，器件具有0.6nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C电流连续漏极Id为450mA（Ta）。
2N7002BKMB，带有NXP制造的电路图。2N7002BKMB在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
