起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.16296 | 0.16296 |
| 100+ | 0.15282 | 15.28250 |
| 1000+ | 0.14485 | 144.85800 |
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N7000RLRP | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN 60V 200MA TO-92 | ¥0.28972 |
 | 2N7002CK,215 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 | ¥0.14486 |
 | 2N7002BKV,115 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 | ¥0.36215 |
 | 2N7002E,215 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23 | ¥0.28972 |
 | 2N7002KQBZ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 720毫安 (Ta) 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 |
 | 2N7002K 72K | 江苏长电/长晶 (CJ) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA | ¥0.18708 |
| 2N7002（丝印12W） | 时科 (SHIKUES) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA | ¥0.09601 |
| 2N7002-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A | ¥0.1106 |
 | 2N7002KD | 富芯森美 (FUXINSEMI) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA | ¥0.21651 |
 | 2N7002T-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW | ¥0.16258 |
Micro Commercial Components Corporation（MCC）成立于1991年，是一家生产高品质分立半导体产品的制造商，总部位于加利福尼亚州西米谷（Simi Valley Ca...
