DMG4822SSD-13

Name: DMG4822SSD-13
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7118468-DMG4822SSD-13
Price: 5.070030 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:5-7 工作日

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数量	单价	合计
1+	5.07003	5.07003
10+	4.49059	44.90598
100+	3.44110	344.11020
500+	2.71999	1359.99950
1000+	2.17598	2175.98400
2500+	1.97202	4930.06000
5000+	1.85454	9272.72500

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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
场效应管特性逻辑电平门
漏源电压标 (Vdss) 30伏
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
供应商设备包装 8-SO
场效应管类型 2个N通道（双通道）
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.5nC @ 10V
漏源电流 (Id) @ 温度 10A
导通电阻 Rds(ON) 20毫欧姆@8.5A，10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 478.9皮法 @ 16V
最大功率 1.42W

DMG4822SSD-13 产品详情

这一新一代30V N沟道增强型MOSFET DIOFET采用了独特的专利工艺，将MOSFET和肖特基单片集成在单个管芯中，以提供：

低RDS（ON）-最小化传导损耗
低VSD-减少由于体二极管传导造成的损耗
低Qrr-集成肖特基的低Qrr降低了体二极管开关损耗
低栅极电容（Qg/Qgs）比–减少高频下的穿透或交叉传导电流风险
雪崩崎岖–IAR和EAR等级

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型号	制造商	描述	价格
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DMG1553-2	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥50.14845
DMG1553-3	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥69.88993
DMG1553-45	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥50.84806
DMG1553-5	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥60.67193
DMG3415UFY4-7	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 16伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta）最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: DFN2015H4-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.92421
DMG2305UX	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.58748
DMG1013T	台舟 (TECH PUBLIC)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：610mΩ@4.5V,550mA	¥0.38002
DMG1012T	台舟 (TECH PUBLIC)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@4.5V,550mA	¥0.43904
DMG2302UK-7-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36mΩ@10V,3.5A	¥0.1939

DMG4822SSD-13所属分类：场效应晶体管阵列，DMG4822SSD-13 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMG4822SSD-13价格参考￥5.070030，你可以下载 DMG4822SSD-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMG4822SSD-13规格参数、现货库存、封装信息等信息！