起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.19628 | 0.19628 |
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描述
该MOSFET被设计为最小化导通电阻（Rds（on）），同时保持优异的开关性能，是高效电源管理应用的理想选择。
特征
•双N沟道MOSFET
•低导通电阻
•低栅极阈值电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•超小型表面安装组件
•完全无铅且完全符合RoHS（注释1和2）
•无卤素和锑。“绿色”设备（注释3和4）
•符合AEC-Q101高可靠性标准
描述
该MOSFET被设计为最小化导通电阻（Rds（on）），同时保持优异的开关性能，是高效电源管理应用的理想选择。
特征
•双N沟道MOSFET
•低导通电阻
•低栅极阈值电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•超小型表面安装组件
•完全无铅且完全符合RoHS（注释1和2）
•无卤素和锑。“绿色”设备（注释3和4）
•符合AEC-Q101高可靠性标准
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2N7000RLRP | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CHAN 60V 200MA TO-92 | ¥0.28972 |
 | 2N7002CK,215 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23 | ¥0.14486 |
 | 2N7002BKV,115 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666 | ¥0.36215 |
 | 2N7002E,215 | 恩智浦 (NXP) | MOSFET N-CH 60V 385MA SOT23 | ¥0.28972 |
 | 2N7002KQBZ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 720毫安 (Ta) 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.89716 |
 | 2N7002K 72K | 江苏长电/长晶 (CJ) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA | ¥0.18708 |
| 2N7002（丝印12W） | 时科 (SHIKUES) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA | ¥0.09601 |
| 2N7002-HXY | 华轩阳电子 (HXY MOSFET) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A | ¥0.1106 |
 | 2N7002KD | 富芯森美 (FUXINSEMI) | 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA | ¥0.21651 |
 | 2N7002T-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW | ¥0.16258 |
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销...
