DMG6602SVTQ-7

Name: DMG6602SVTQ-7
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7118522-DMG6602SVTQ-7
Price: 2.897160 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: N和P通道场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A、2.8A 供应商设备包装: TSOT-23 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
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10+	2.36118	23.61185
100+	1.60647	160.64750
500+	1.20463	602.31950
1000+	0.90347	903.47900
3000+	0.82822	2484.67800
6000+	0.77803	4668.19200

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规格参数

部件状态可供货
安装类别表面安装
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
漏源电压标 (Vdss) 30伏
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
场效应管类型 N和P通道
场效应管特性标准
包装/外壳 SOT-23-6薄型，TSOT-23-6
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13nC @ 10V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
供应商设备包装 TSOT-23
漏源电流 (Id) @ 温度 3.4A、2.8A
导通电阻 Rds(ON) 60毫欧姆 @ 3.1A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 400皮法 @ 15V
最大功率 840mW

DMG6602SVTQ-7 产品详情

这一新一代MOSFET的设计旨在最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

特色

低导通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
完全无铅且完全符合RoHS
无卤素和锑。“绿色”设备
符合AEC-Q101高可靠性标准
PPAP能力

应用

背光
DC-DC转换器
电源管理功能

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型号	制造商	描述	价格
DMG1553-1	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥31.88903
DMG1553-2	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥50.14845
DMG1553-3	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥69.88993
DMG1553-45	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥50.84806
DMG1553-5	因瑞康有限公司 (iNRCORE)	TRANSFORMER PBC	¥60.67193
DMG3415UFY4-7	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 16伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta）最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: DFN2015H4-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.92421
DMG2305UX	台舟 (TECH PUBLIC)	暂无	¥0.58748
DMG1013T	台舟 (TECH PUBLIC)	类型：P沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：550mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：610mΩ@4.5V,550mA	¥0.38002
DMG1012T	台舟 (TECH PUBLIC)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：800mA 功率(Pd)：280mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@4.5V,550mA	¥0.43904
DMG2302UK-7-ES	静芯微 (ElecSuper)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.5A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：36mΩ@10V,3.5A	¥0.1939

DMG6602SVTQ-7所属分类：场效应晶体管阵列，DMG6602SVTQ-7 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMG6602SVTQ-7价格参考￥2.897160，你可以下载 DMG6602SVTQ-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMG6602SVTQ-7规格参数、现货库存、封装信息等信息！