9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJ946EP-T1_GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJ946EP-T1_GE3参考价格为0.96000美元。Vishay Siliconix SQJ946EP-T1_GE3封装/规格:MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8。您可以下载SQJ946EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ912AEP-T1_GE3,带有引脚细节,包括TrenchFETR系列,它们设计用于磁带和卷轴(TR)封装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.017870盎司,提供SMD/SMT等安装样式功能,商品名设计用于TrenchFET,以及PowerPAKR SO-8双封装外壳,该设备也可以用作Si技术,它的工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),该器件为表面安装型,该器件具有PowerPAKR SO-8双电源器件封装,配置为双电源,FET类型为2 N通道(双电源),最大功率为48W,漏极到源极电压Vdss为40V,输入电容Cis-Vds为1835pF@220V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为30A,最大Id Vgs的Rds为9.3 mOhm@9.7A,10V,Vgs最大Id为2.5V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为38nC@10V,Pd功耗为48W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为11 ns,上升时间为9 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为30A,Vds漏极-源极击穿电压为40V,Vgs第栅极-源阈值电压为2V,Rds导通漏极-漏极电阻为9.3mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为23ns,典型导通延迟时间为10ns,Qg栅极电荷为25.6nC。
SQJ884EP-T1_GE3带有用户指南,其中包括TrenchFET商品名,它们设计用于使用Si技术,数据表说明中显示了用于SQ系列的系列,该系列提供了卷盘等包装功能。
SQJ912EP-T1-GE3是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 5引脚(4+Tab)PowerPAK SO T/R。SQJ912EP-T1-GE3采用QFN8封装,是IC芯片的一部分,支持Trans-MOSFET N-CH 40V 8A Automotive 5引脚(4+Tab)PowerPAK SO T/R。