9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQJB70EP-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQJB70EP-T1_GE3价格参考1.00000美元。Vishay Siliconix SQJB70EP-T1_GE3封装/规格：MOSFET 2 N-CH 100V POWERPAK SO8。您可以下载SQJB70EP-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQJ992EP-T1_GE3，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供TrenchFET等商标功能，封装盒设计为在PowerPAKR SO-8 Dual以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有PowerPAKR SO-8双重供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重），最大功率为34W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为446pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为15A，最大Id Vgs上的Rds为56.2 mOhm@3.7A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为12nC@10V，Pd功耗为34W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7 ns 7 ns，上升时间为6 ns 6 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V+/-20 V，Id连续漏极电流为15 A 15 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V 60 V，Vgs第h栅极-源阈值电压为1.5 V 1.5 V，Rds导通漏极-漏极电阻为125.4 m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12 ns 12 ns，典型的导通延迟时间为6ns 6ns，Qg栅极电荷为8.1nC 8.1nC，正向跨导Min为11S 11S，信道模式为增强。
SQJ970EPT1-GE3，带有VISAHY制造的用户指南。SQJ970EPT1-GE3采用SMD封装，是IC芯片的一部分。
SQJ970EP-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SQJ970EP-T1-GE3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SQJ980EP-T1-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SQJ980EP-T1-GE3采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
