特色
- 内置偏置电阻器，R=10kΩ
- 补充PNP类型：DTB114GC
DTD114GCHZGT116
- 描述:晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.60744 | 2.60744 |
| 10+ | 1.96282 | 19.62826 |
| 100+ | 1.11323 | 111.32340 |
| 500+ | 0.73703 | 368.51900 |
| 1000+ | 0.56509 | 565.09100 |
| 3000+ | 0.49135 | 1474.07400 |
| 6000+ | 0.44225 | 2653.50600 |
| 15000+ | 0.39307 | 5896.08000 |
| 30000+ | 0.36851 | 11055.57000 |
| 75000+ | 0.34765 | 26074.42500 |
- 库存: 2900
- 单价: ¥2.60744
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.61
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规格参数
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 部件状态 可供货
- 晶体管类别 NPN-预偏置
- 集电极击穿电压 50 V
- 基极电阻 (R1) 10千欧姆
- 最大功率 200毫瓦
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 最小直流增益 56 @ 50毫安, 5V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 2.5毫安, 50毫安
- 特征频率 200兆赫
- 发射极电阻 (R2) -
- 集电极最大截止电流 500nA (ICBO)
- 最大集电极电流 (Ic) 500 mA
- 供应商设备包装 SST3
DTD114GCHZGT116 产品详情
DTD114GC是一种数字晶体管（电阻内置型晶体管）。
DTD114GCHZGT116 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | DTD113E | 安盛美 (onsemi) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | ¥0.14486 |
 | DTD113ZCHZGT116 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥1.81073 |
 | DTD113ZKT146 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.41719 |
 | DTD114EKT146 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.96693 |
 | DTD123TKT146 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥3.74136 |
 | DTD143EKT146 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SMT3 | ¥0.25133 |
 | DTD113ZUT106 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: UMT3 | ¥1.48987 |
 | DTD143ECHZGT116 | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SST3 | ¥0.24698 |
 | DTD143EG-AE3-R | 晶体管类型：1个NPN-预偏置 功率(Pd)：200mW 集电极电流(Ic)：500mA 集射极击穿电压(Vceo)：50V | ¥0.21004 | |
 | DTD123YCA | 时科 (SHIKUES) | 暂无 | ¥0.19465 |
DTD114GCHZGT116所属分类：单个预偏置双极晶体管，DTD114GCHZGT116 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DTD114GCHZGT116价格参考￥2.607444，你可以下载 DTD114GCHZGT116中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DTD114GCHZGT116规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
