9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMG8822UTS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG8822UTS-13参考价格0.19693美元。Diodes Incorporated DMG8822UTS-13封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP。您可以下载DMG8822UTS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMG8601UFG-7是MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN，包括DMG8601系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如8-PowerUDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为U-DFN3030-8，该设备为2 N通道（双）公共漏极FET型，该设备最大功率为920mW，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为143pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6.1A，最大Id Vgs为23mOhm@6.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.05V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.8nC@4.5V，Id连续漏极电流为6.1A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，漏极-漏极电阻为34mOhm，晶体管极性为N沟道。
DMG8023SS，带有DIODES制造的用户指南。DMG8023SS采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
DMG8822UTS，电路图由DIODES制造。DMG8822UTS在TSSOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
