9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的DMG6968UTS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMG6968UTS-13参考价格0.19693美元。Diodes Incorporated DMG6968UTS-13封装/规格：MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP。您可以下载DMG6968UTS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMG6968UDM-7是MOSFET 2N-CH 20V 6.5A SOT-26，包括DMG6968系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SOT-23-6等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在SOT-26供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重）公共漏极，最大功率为850mW，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为143pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6.5A，最大Id Vgs的Rds为24 mOhm@6.5A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.8nC@4.5V，Pd功耗为850 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为234 ns，上升时间为78 ns，Vgs栅极-源极电压为8V，Id连续漏极电流为6.5A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Vgs第栅极-源阈值电压为0.9V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为562ns，典型导通延迟时间为53ns，Qg栅极电荷为8.8nC，信道模式是增强。
DMG6968UQ-7是MOSFET N-Ch Enh模式FET 20Vdss 12Vgss 30A，包括900 mV Vgsth栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-12 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供典型的开启延迟时间特性，如54 ns，典型的关闭延迟时间设计为613 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMG6968系列，该器件的上升时间为66 ns，漏极-源极电阻Rds为21 mOhms，Qg栅极电荷为8.5 nC，Pd功耗为1.3 W，封装为卷轴式，封装盒为SOT23，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为6.5 A，正向跨导最小值为8 S，下降时间为205 ns，配置为单一，信道模式为增强。
带有电路图的DMG6968U-7-F/2N4 DMG6968-U-7-F/2N4以SOT23-3封装形式提供，是IC芯片的一部分。
